Примесные донорные состояния в GaSb$\langle\text{Se}\rangle$

Исследовано влияние гидростатического давления до 15 кбар на гальваномагнитные и осцилляционные эффекты в GaSb$\langle\text{Se}\rangle$ с концентрацией селена ${(2.8\div4)\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$. Измерения проведены в магнитном поле до 50 кЭ при температурах $1.8{-}300$ K. По барической зависимости фермиевской энергии $\Gamma$-электронов, восстановленной из осцилляционных данных, определено положение резонансной примесной зоны $E^{\text{Se}}_{L}$, связанной с $L$-экстремумом. Показано, что эта зона по сравнению с зоной $E^{\text{Te}}_{L}$ в GaSb$\langle\text{Se}\rangle$ является более узкой и расположена глубже относительно $L$-минимума. В интервале давлений ${4\lesssim p\sim p_{0}\lesssim 7}$ кбар вблизи давления $p_{0}$, соответствующего полному опустошению $\Gamma$-зоны, наблюдается температурная зависимость удельного сопротивления ${\rho\sim\exp\{(T_{0}/T)^{\alpha}\}}$ с показателем $\alpha$, резонансно изменяющимся с давлением от ${\alpha=0}$ (${p\lesssim 4}$ кбар) через ${\alpha=0.4}$ (${p\sim p_{0}\sim5}$ кбар) до ${\alpha=0}$ при ${p\gtrsim11}$ кбар. Полученные данные свидетельствуют о возникновении под давлением сильного взаимодействия $\Gamma$-электронов с локализованными состояниями в примесной зоне $E^{\text{Se}}_{L}$ и хвосте $\Gamma$-зоны.