RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 4, страницы 674–678 (Mi phts2249)

Зависимость времени жизни неравновесных дырок в $p$-германии от концентации центров рекомбинации — ионов Zn$^{-}$ и температуры

Г. А. Асланов, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин


Аннотация: Исследована зависимость времени жизни ($\tau$) неравновесных дырок от температуры и концентрации центров захвата (ионов Zn). Время жизни определялось из измерений стационарной величины фотопроводимости, а также по ее амплитудно-частотной зависимости. Для определения коротких времен фотоответа (до $10^{-11}$ с) разработан фазовый метод измерения. Вычислена температурная зависимость концентрации свободных носителей при наличии слабого случайного поля, обусловленного хаотически расположенными ионами примесей. Результаты вычислений использованы для определения концентраций легирующих примесей (цинка и доноров) и концентрации центров захвата по результатам холловских измерений. Учет случайного поля при определении концентраций примесей позволил более точно рассчитать величину и температурную зависимость сечения захвата $\sigma^{=}_{p}$ по измеренным значениям $\tau$. Температурная зависимость сечения захвата, измеренная в интервале ${65\div300}$ K, близка к степенному закону ${\sigma^{=}_{p}\sim T^{-1}}$, что указывает на участие в процессе захвата оптических фононов. Установлено, что величина $\tau$ меняется обратно пропорционально концентрации центров захвата вплоть до времен ${\sim1\cdot10^{-11}}$ с.



© МИАН, 2024