Явление увлечения носителей тока фотонами в полупроводниках в дальней ИК и субмиллиметровой области спектра

Исследовано явление увлечения носителей тока фотонами в дальней ИК и субмиллиметровой области спектра в германии $n$- и $p$-типа. Впервые экспериментально обнаружены и объяснены многократные спектральные инверсии знака ЭДС увлечения в $p$-Ge при 300 и 78 K, а также концентрационная инверсия в $p$-Ge при 300  K. Показано, что наблюдаемые инверсии связаны с конкуренцией четырех элементарных токов увлечения в легкой и тяжелой подзонах валентной зоны Ge, а также токов увлечения при непрямых переходах в валентной зоне и зоне проводимости. Впервые удалось наблюдать доминирующий вклад каждого из перечисленного токов. В случае $n$-Ge спектральные инверсии не наблюдаются. Экспериментальные данные удовлетворительно согласуются с теорией.