RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 4, страницы 751–753 (Mi phts2273)

Краткие сообщения

Изменение внутренней квантовой эффективности излучения, обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных электронами кристаллов GaAs

К. Д. Глинчук, Н. С. Заяц, А. В. Прохорович




© МИАН, 2024