Физика и техника полупроводников,
1983, том 17, выпуск 4,страницы 751–753(Mi phts2273)
Краткие сообщения
Изменение внутренней квантовой эффективности излучения,
обусловленного глубокими центрами люминесценции, при отжиге облученных
электронами кристаллов GaAs