Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в $n$-кремнии

В целях выявления механизмов взаимодействия точечных дефектов (ТД) с областями разупорядочения (ОР) выполнены расчеты формирования ТД из вакансий, вводимых облучением электронами, в электростатическом поле ОР, ранее сформировавшихся из скоплений вакансий, введенных облучением нейтронами. Расчеты показали, что рекомбинационная эффективность ТД, сформировавшихся в поле ОР, может существенно превышать рекомбинационную эффективность ТД в неповрежденном кристалле.