Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника

Рассчитано число подвижных радиационных дефектов, которые выходят из области торможения ионов и проникают глубоко в объем кристалла, в частности, достигают необлученной поверхности. Учитываются образование дефектных комплексов в слое, непосредственно подвергающемся облучению, захват подвижных дефектов на ненасыщающиеся ловушки, а также сток их на поверхность. Предполагается, что в области торможения ионов захват подвижных дефектов на ненасыщающиеся ловушки происходит значительно интенсивнее, чем в объеме кристалла.
Получено выражение для потока подвижных дефектов через произвольную, параллельную облучаемой поверхности плоскость внутри образца в зависимости от режимов имплантации. На основании расчетов сделан вывод о том, что при дозах облучения ${\sim10^{16}\div10^{18}\,\text{ион/см}^{2}}$ поток дефектов в слоях, расположенных значительно глубже области торможения ионов, может быть достаточным для того, чтобы вызвать изменение структурного совершенства и электрофизических свойств материала.