Токовые неустойчивости в $n$-GaAs в сильных магнитных полях

При температурах ${T\leqslant4.2}$ K в образцах $n$-GaAs с металлической проводимостью в магнитных полях выше критического поля $B_{c}$, соответствующего переходу металл–полупроводник, обнаружены неустойчивости, которые проявляются в виде резких срывов магнитосопротивления (МС). Показано, что неустойчивости появляются па фоне гистерезиса МС, т. е. в условиях нестационарной проводимости. Вольтамперная характеристика в области неустойчивостей имеет сублинейный характер. При закорачивании поля Холла неустойчивости исчезают. Возникновение неустойчивостей связано с тем, что действие сильного холловского поля на неравновесные электроны, которые образуются в изменяющемся магнитном поле, создает условия для появления отрицательной дифференциальной проводимости.