RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 5, страницы 854–858 (Mi phts2295)

Лазерная имплантация примесей в кремнии

В. И. Фистуль, А. М. Павлов


Аннотация: Экспериментально обнаружен эффект проникновения примесей из предварительно нанесенной металлической пленки в образцы кремния, подвергнутого лазерному облучению с противоположной металлу стороны, т. е. через кремниевое оптическое окно. Показано, что при длине волны лазерного света 1.06 мкм, плотности мощности падающего снота ${P_{0}=2\cdot10^{4}\,\text{Вт/см}^{2}}$, длительности лазерного импульса $10^{-3}$ с и толщине образца 0.025 см нагрев происходит главным образом границы металл–полупроводник.
Обсуждаются наиболее вероятные причины лазерной имплантации примесей меди и алюминия в кремний: обычная диффузия и термодиффузия в поле градиента температуры.



© МИАН, 2024