Ударная ионизация дырками в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

Рассмотрена ударная ионизация дырками в полупроводниках типа GaAs и InSb. Показано, что в таких материалах функция распределения дырок при больших энергиях порядка $E_{g}$ формируется главным образом за счет рассеяния на деформационных оптических фононах. Для коэффициента ударной ионизации дырок $\beta(E)$ ($E$ — электрическое поле) получено выражение ${\beta(E)=\beta_{\infty}\exp\{-E_{01}/E\}}$ для полупроводников типа GaAs, InP характеристическое поле $E_{01}$ выражено через параметры зонной структуры и величину деформационного потенциала. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.