RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 129–132 (Mi phts23)

Влияние упругих деформаций на электропроводность теллура

В. Балинас, А. Кроткус

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: Представлены результаты исследования зависимостей электрического сопротивления и порогового поля эффекта Ганна от величины гидростатического и одноосного давлений в собственном теллуре. Эти измерения выполнены при направлениях электрического поля ${E\parallelc}$ и ${E\perpc}$ ($c$ — направление тригональной оси монокристалла теллура). Качественное сравнение полученных результатов с выводами расчетов зонной структуры теллура указывает на то, что высшие долины зоны проводимости теллура находятся в точках $M$ зоны Бриллюэна.

Поступила в редакцию: 03.04.1985
Принята в печать: 31.08.1985



© МИАН, 2024