Аннотация:
Представлены результаты исследования зависимостей электрического сопротивления и порогового поля эффекта Ганна от величины гидростатического и одноосного давлений в собственном теллуре. Эти измерения выполнены при направлениях электрического поля ${E\parallelc}$ и ${E\perpc}$ ($c$ — направление тригональной оси монокристалла теллура). Качественное сравнение полученных результатов с выводами расчетов зонной структуры теллура указывает на то, что высшие долины зоны проводимости теллура находятся в точках $M$ зоны Бриллюэна.
Поступила в редакцию: 03.04.1985 Принята в печать: 31.08.1985