RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 5, страницы 916–920 (Mi phts2307)

Нелинейные оптические эффекты в полупроводниках, обусловленные когерентностью зондирующего и интенсивного электромагнитных излучений

В. М. Фомин, С. Н. Климин, Е. П. Покатилов


Аннотация: Рассмотрен спектр поляризации, обусловленной откликом газа зонных носителей заряда в полупроводнике в присутствии интенсивного и зондирующего электромагнитных излучений. Найден обобщенный тензор диэлектрической проницаемости для основных видов взаимодействия зонных носителей заряда с фононами. Показано, что при частотах зондирующего излучения, кратных частоте интенсивного излучения, в тензоре диэлектрической проницаемости возникает вклад, обусловленный когерентностью зондирующего и интенсивного излучений и определяемый соотношением их фаз. Описано изменение коэффициента поглощения зондирующего излучения, обусловленное когерентностью зондирующего и интенсивного электромагнитных излучений.



© МИАН, 2025