RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 977–984 (Mi phts2329)

Поляритонные эффекты в InSe, содержащем макроскопические включения

Л. А. Демчина, Д. В. Корбутяк, Ю. В. Крюченко, В. Г. Литовченко, Р. И. Марченко, В. И. Сугаков


Аннотация: Исследованы низкотемпературные (${T=4.2\div30}$ K) спектры фотолюминесценция InSe, легированного гадолинием, который образует в кристаллической решетке кластеры размером ${\sim0.5}$ мкм. Рассеиваясь на таких макроскопических включениях, поляритоны нижней ветви переходят с сохранением энергии в верхнюю поляритонную ветвь (ВПВ). Вследствие этого усиливается люминесценция в частотной области вблизи $\omega_{L}$ ($\omega_{L}$ — частота продольного экситона). Проведен теоретический анализ указанного механизма. Наблюдается согласие теории и эксперимента.



© МИАН, 2024