Особенности электрофизических свойств комбинированно легированных сплавов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

Исследованы гальваномагнитные, осцилляционные и фотоэлектрические эффекты в комбинированно легированных сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te (${x=0.00}$, 0.20) в области температур $4.2{-}300$ K в магнитных полях до 60 кЭ под давлением до 18 кбар, а также в условиях подсветки тепловым источником при нормальном давлении.
Обнаружено, что дополнительное легирование сплавов Pb$_{0.80}$Sn$_{0.20}$Te(In) примесями Zn, Cd, Аl в сравнимом с In количестве не разрушает эффект стабилизации положения уровня Ферми (УФ) квазилокальным уровнем $\varepsilon_{t}$, но приводит к смещению $\varepsilon_{t}$ в сторону дна зоны проводимости $\varepsilon_{c}$. Для сплавов с ${x=0.20}$, легированных (In, Cd), (In, Zn) и (In, Al), величина ${\varepsilon_{t}-\varepsilon_{c}}$ составляет соответственно 6, 9 и $-22$ мэВ. В этих же сплавах обнаружены долговременные релаксации фотопроводимости при ${T\lesssim20}$ K.
Установлено, что введение Ga в PbTe(In) и Pb$_{0.80}$Sn$_{0.20}$Te(In) сопровождается повышением концентрации электронов вплоть до ${n\sim10^{19}\,\text{см}^{-3}}$, причем величина $n$ не зависит от внешнего давления. В высокоомном сплаве Pb$_{0.80}$Sn$_{0.20}$Te(In, Al) обнаружен переход диэлектрик–металл под действием давления.