Стохастическая рекомбинационная неустойчивость

Исследована динамика тока в цепи, состоящей из источника постоянной ЭДС, омического сопротивления и полупроводника, содержащего три типа рекомбинационных центров, коэффициенты захвата на которые зависят от электрического поля. Для случая отталкивающих центров показано, что уравнения, описывающие эту систему, могут иметь странный аттрактор, приводящий к появлению в цепи стохастических автоколебаний.