RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 960–962 (Mi phts234)

Краткие сообщения

Возможность трансмутационного легирования кремния посредством протонного облучения

Г. П. Гайдар, Н. Н. Дмитренко, Л. В. Дубар, П. М. Курило, А. А. Павленко, Ю. С. Стрюк, В. В. Токаревский

Институт ядерных исследований АН УССР, г. Киев

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.07.1985
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2024