Связь аморфизуемости алмазоподобных полупроводников с их механическими свойствами

Путем обобщения экспериментальных данных по дозам аморфизации ряда алмазоподобных полупроводников (алмаз, кремний, германий, арсенид галлия, арсенид индия, антимонид индия) при ионной бомбардировке найдена корреляция между критической концентрацией смещенных атомов (ККСА), необходимой для аморфизации, и параметрами, характеризующими механические свойства кристаллов (упругие константы, твердость), а также температурой Дебая. Показано, что для всех рассмотренных веществ, за исключением германия, ККСА обратно зависит от указанных параметров. Дано качественное объяснение такой зависимости на основе оценки упругой энергии (по модели Эшелби), связанной с точечными дефектами. Этот результат важен для изучения механизма аморфизации и позволяет прогнозировать дозы аморфизации для других алмазоподобных полупроводников.