RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1068–1072 (Mi phts2346)

Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость–напряжение поверхностно-барьерной структуры

Ю. А. Гольдберг, О. В. Иванова, Т. В. Львова, Б. В. Царенков


Аннотация: Экспериментально подтверждены результаты теоретической работы Константинова–Мезрина, согласно которой зависимость измеряемой дифференциальной емкости $C_{\text{м}}$ поверхностно-барьерной структуры от напряжения смещения $U$ должна иметь ряд особенностей, обусловленных тем, что с изменением $U$ изменяется соотношение между дифференциальным $R$ и остаточным $r_{s}$ сопротивлением структуры за счет сильного (экспоненциального при прямом смещении) изменения $R$. Экспериментально показано следующее:
—  характеристика ${C^{-2}_{\text{м}}-U}$ имеет минимум;
—  с ростом последовательного сопротивления $r$ и частоты измерительного сигнала $f$ напряжение минимума сдвигается в сторону уменьшения $U$; величина этого сдвига совпадает с теоретической;
—  с ростом $r$ и $f$ характеристика ${C^{-2}_{\text{м}}-U}$ сдвигается в сторону увеличения $C^{-2}_{\text{м}}$; величина этого сдвига совпадает с теоретической.



© МИАН, 2024