К теории квантового эффекта Холла в структуре металл–диэлектрик–полупроводник

Теоретически рассмотрена холловская проводимость двумерного электронного газа для структуры МДП. Причиной непостоянства поверхностной концентрации электронов в канале предполагается обмен частицами между каналом и поверхностными связанными состояниями на границе раздела полупроводник–диэлектрик. Последние играют роль резервуара электронов, параметром которого является плотность поверхностных состояний на интервал энергии. Рассмотрен случай нулевой температуры, для которого получены ступенчатые зависимости холловской проводимости от обратного магнитного поля или напряжения между затвором и истоком. Эта зависимость представляет собой последовательность горизонтальных плато с участками линейного роста между плато. Высота ступени равна $e^{2}/2\pi\hbar$, а ширина плато тем больше, чем больше поверхностная плотность связанных состояний на интервал энергии. Таким образом, квантовый эффект Холла может служить методом определения энергетического распределения плотности поверхностных состояний.