Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках

Хорошо известные экспериментально наблюдаемые особенности в зависимости отрицательного магнитосопротивления (ОМС) полупроводников от концентрации легирующей примеси $N$ (максимум абсолютной величины ОМС при ${N\,{\raise2.5pt\hbox{$\scriptstyle1$}}/ {\lower2.5pt\hbox{$\scriptstyle3$}}\,a_{B}\simeq0.3}$) и от температуры (нормировка зависимостей от магнитного поля по параметру $H/T$) объясняются в рамках теории слабой локализации с учетом времени релаксации фазы волновой функции для неупругого рассеяния.