RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1107–1110 (Mi phts2353)

Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

В. И. Фистуль


Аннотация: Теория поведения амфоторной примеси в кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ обобщена на твердые растворы на их основе. Сущность теории представляет термодинамический анализ распределения амфотерной примеси по подрешеткам кристалла — соединения. Показано, что это распределение, а следовательно, и степень компенсации кристаллов определяются давлением пара над кристаллом и составом твердого раствора в случае анионного замещения и только давлением пара при катионном замещении.



© МИАН, 2024