RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 6, страницы 1115–1118 (Mi phts2356)

Краткие сообщения

Определение концентрации примеси в карбиде кремния $n$-типа с помощью локального пробоя контакта металл–полупроводник

Е. И. Радованова, Р. Г. Веренчикова, Ю. А. Водаков




© МИАН, 2024