RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 5,
страницы
964–967
(Mi phts236)
Краткие сообщения
Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно легированном кремнии
И. И. Колковский
,
П. Ф. Лугаков
,
В. В. Шуша
Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
16.10.1985
Принята в печать:
14.12.1985
Полный текст:
PDF файл (547 kB)
©
МИАН
, 2024