RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 964–967 (Mi phts236)

Краткие сообщения

Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно легированном кремнии

И. И. Колковский, П. Ф. Лугаков, В. В. Шуша

Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 16.10.1985
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2024