Аннотация:
Использована теория эффективной среды для
вычисления проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках
в переменных электрических полях. Получены самосогласованные уравнения
для вычисления частотных зависимостей эффективных комплексных значений
тензора диэлектрической проницаемости и холловской проводимости для
произвольного распределения их локальных значений. В качестве примера
вычислены проводимость и холловская проводимость для полупроводников
с диэлектрическими включениями. Результаты применимы в широкой области
частот ${\omega<\tau^{-1}}$, где $\tau$ — время свободного пробега
электрона. Получено, что в окрестности частоты
${\omega_{0}\simeq3\tau^{-1}_{M}}$ ($\tau_{M}$ — максвелловское время
релаксации, ${\tau_{M}\gg\tau}$) действительные части как проводимости, так
и холловской проводимости возрастают при увеличении частоты, переходя
от низкочастотного плато к высокочастотному плато. В этой окрестности
частотные зависимости мнимых частей проводимости и холловской
проводимости имеют максимум.