Аннотация:
Исследованы резкие $p^{+}{-}n$-переходы в твердых
растворах GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${0.015\leqslant x\leqslant 0.18}$).
Плотность дислокаций, пересекающих $p{-}n$-переход, варьировали
от ${N_{d}=(3\div5)\cdot10^{5}}$ до
${N_{d}\geqslant2\cdot10^{7}\,\text{см}^{-2}}$. Показано
влияние дислокаций на величину тока генерации-рекомбинации носителей
в области пространственного заряда и тока в области туннельного пробоя.