Аннотация:
Рассмотрена модуляция напряжения между затвором
и истоком, а также магнитного поля для структуры МДП в квантовом эффекте
Холла. Вычислены модуляционная добавка к холловскому току и возникающий
переменный ток между затвором и истоком. Показано, что, измеряя емкость между
затвором и полупроводником, можно найти параметр резервуара. При этом
оказывается что заряд, перетекающий из канала на затвор при отсутствии другого
резервуара, кроме затвора, пропорционален изменению потока, деленному
на квант потока, введенного Лондоном.