Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах

Теоретически рассчитана прямая ветвь вольтамперной характеристики для гетероперехода, содержащего высокую плотность рекомбинационных центров на границе раздела. Учитывалась возможность как активационного, так и туннельного преодоления носителями потенциальных барьеров в переходе. Показано, что вид вольтамперной характеристики существенно иной, нежели в идеальном гетеропереходе. В частности, она может носить туннельный характер и в случае, если лишь один из полупроводников, составляющих гетеропереход, сильно легирован. Подобный эффект неоднократно наблюдался в экспериментах.