Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников, обусловленная поверхностным изгибом зон

Исследовалась поляризационная анизотропия отражения за краем фундаментального поглощения в области переходов $E_{1}$ и ${E_{1}+\Delta_{1}}$ поверхностей (110) кубических полупроводников GaAs, InSb и Si. Регистрировалась спектральная зависимость величины ${\Delta R/R\simeq R_{\parallel}-R_{\perp}/R_{\parallel}}$, где $R_{\parallel},\,R_{\perp}$ — коэффициенты отражения света с поляризациями $E_{\parallel}[\bar{1}10]$ и $E_{\parallel}[001]$ соответственно. Исследованиями на образцах с разным уровнем легирования установлено, что при легировании ${N > 10^{-16}\,\text{см}^{-3}}$ эффекты анизотропии отражения в областях $E_{1}$ и ${E_{1}+\Delta_{1}}$ обусловлены приповерхностным электрическим полем, возникающим вследствие закрепления уровня Ферми на окисленной поверхности. Увеличение легирования вызывает рост приповерхностного поля и возрастание эффектов анизотропии. Кроме того, показано, что во всех кристаллах имеется некоторая начальная анизотропия, не связанная с изгибом зон на поверхности. Эффекты этой анизотропии наблюдаются в отражении как на чистой поверхности, так и на окисленной поверхности (110) кубических полупроводников. Высказано предположение, что причиной подобной анизотропии является вызванная поверхностью деформация приповерхностной части кристалла.