RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1042–1048 (Mi phts243)

Релаксация неравновесного поверхностного потенциала МДП структур в режиме постоянного заряда

В. А. Гуртов, О. Н. Ивашенков, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин

Петрозаводский государственный университет им. О. В. Куусинена

Аннотация: Рассмотрены амплитудная и временна́я зависимости изменения поверхностного потенциала при релаксации неравновесной области пространственного заряда полупроводника в режиме постоянного заряда на затворе МДП структуры. Предложена экспериментальная схема для определения времени релаксации неравновесного потенциала. Показано согласие экспериментальных и расчетных кривых для МДП структур на кремнии и антимониде индия.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 16.09.1985
Принята в печать: 11.11.1985



© МИАН, 2024