Фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика

Проведен анализ экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию фотоэлектрических свойств структур металл–диэлектрик–полупроводник с тонким (${d < 100}$ Å) слоем диэлектрика. Показано, что основной причиной, приводящей к появлению специфических фотоэлектрических эффектов (возрастание КПД фотопреобразования, усиление фототока), является образование у границы раздела полупроводник–диэлектрик неравновесной области обеднения, связанное с протеканием токов «утечки» через диэлектрик. Механизм токов утечки при этом не играет существенной роли, в теоретическом анализе рассматривается туннельный механизм прохождения тока через диэлектрик. Проанализированы условия (параметры структуры и режимы работы), влияющие на выходную мощность фотопреобразования и коэффициент усиления фототока.