RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 8, страницы 1380–1385 (Mi phts2432)

Начальная стадия развития волн ударной ионизации в перенапряженных $p{-}n$-переходах

И. В. Грехов, А. Ф. Кардо-Сысоев, М. В. Попова, С. В. Шендерей


Аннотация: Сделан расчет динамики напряженности электрического поля в базе диода при приложении к нему быстро нарастающего напряжения. Показано, что при ${dU/dt > 10^{12}}$ В/с в квазинейтральной области базы может начаться ударная ионизация основными носителями. Дырки, образованные в результате ударной ионизации, дрейфуют в область сильного поля и инициируют волну ударной ионизации.



© МИАН, 2024