Локализация электронов в магнитном поле в $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te

Исследованы продольное $\rho_{\parallel}$ и поперечное $\rho_{\perp}$ магнитосопротивление и константа Холла $R$ в $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Те в магнитных полях до 60 кГс в интервале температур ${1.7\leqslant T\leqslant10}$ K. Обнаружено резкое возрастание $\rho_{\parallel}$ и $\rho_{\perp}$ и падение $R$ в полях, больших некоторого критического поля $B_{\text{к}}$. Высказано предположение о том, что обнаруженные эффекты обусловлены убыванием концентрации электронов в зоне проводимости вследствие локализации их в ямах потенциального рельефа, возникающего в сильно легированных и компенсированных полупроводниках.