Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP

Проведены измерения коэффициента поглощения ${k=f(h\nu)}$ для тройных (In$_{0.5}$Ga$_{0.5}\text{P}$, $\text{In}_{0.53}$Ga$_{0.47}$As) и четверных (In$_{0.73}$Ga$_{0.27}$Аs$_{0.6}$Р$_{0.4}$, In$_{0.62}$Ga$_{0.38}$As$_{0.84}$P$_{0.16}$) соединений системы InGaAsP при 300 K. Сравнение вида полученных спектров поглощения с известными данными для бинарных соединений не обнаружило специфических особенностей ни при ${h\nu <E_{g}}$, ни при ${h\nu \geqslant E_{g}}$. При ${h\nu<E_{g}}$ отсутствует размытие края поглощения, которое могло быть обусловлено флуктуациями потенциала, связанными с хаотическим распределением компонент твердых растворов. При ${h\nu\geqslant E_{g}}$ изменение коэффициента поглощения в многокомпонентных соединениях с изменением их зонных параметров подчиняется тем же закономерностям, что в бинарных соединениях: соответствующие величины $k(h\nu)$ приблизительно линейно уменьшаются с увеличением эффективных масс в $\Gamma$-минимуме зоны проводимости.