Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур

Разработана теоретическая модель формирования сигнала микрокатодолюминесценции (МКЛ) в двойных гетероструктурах (ДГС), учитывающая специфику протекающих в них рекомбинационных процессов. Рассчитаны распределение неравновесных носителей по глубине ДГС, а также зависимости эффективности МКЛ от энергии ускоряющего напряжения для гетероструктур с различными геометрическими и электрофизическими параметрами. Для экспериментальной проверки теории исследованы ДГС InGaAsP$-$InP, при этом определены скорость поверхностной рекомбинации и длины диффузионного смещения в эмиттерах. Получено хорошее совпадение теории и эксперимента во всем диапазоне энергий электронного пучка.