Дрейфовое распределение носителей тока в полупроводнике при их разогреве пространственно неоднородным излучением

Приведены результаты расчета распределения дрейфующих носителей тока в однородном биполярном полупроводнике в условиях поглощения ими пространственно неоднородного излучения. Показано, что при пространственно периодической неоднородности (стоячая волна) концентрация дрейфующих носителей образует сильно неоднородную периодическую структуру, причем контрастность «решетки» концентрации может быть значительно выше контрастности «решетки» излучения. «Решетка» концентрации стационарно сдвинута относительно «решетки» излучения. Этот сдвиг в случае диэлектрического режима не зависит от тока и составляет четверть пространственного периода, а в случае полупроводникового режима управляется током в пределах от четверти периода до нуля. Аналогичные явления возможны и в случае поглощения света носителями на ловушках.