RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 8, страницы 1446–1449 (Mi phts2443)

Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия

О. В. Вакуленко, В. А. Скрышевский, В. В. Тесленко


Аннотация: Комплексные исследования ЭПР, примесного ИК поглощения и фотопроводимости полуизолирующего GaAs$\langle\text{Cr}\rangle$ в условиях оптической перезарядки примеси позволили выявить спектр фотонейтрализации «донорного» $3d^{2}$-состояния хрома — Сr$^{4+}$. Результатом подробного анализа спектров фотоионизации нейтрального $3d^{3}$-состояния Сr$^{3+}$ при 293 и 80 K явился вывод об отсутствии жесткой связи данного состояния как с краем валентной зоны, так и с краем зоны проводимости.



© МИАН, 2024