Особенности примесной люминесценции твердых растворов на основе селенидов и теллуридов кадмия

Исследованы фотопроводимость и фотолюминесценция слоев CaSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x=0\div1}$), полученных испарением в вакууме на подогретую подложку (слюда–мусковит), граничные соединения которых (при ${x=0}$ и ${x=1}$) обладают различной симметрией решетки (вюрцит и сфалерит соответственно). Изучались изменение ширины запрещенной зоны от состава, а также влияние изменения окружения ионами анионов с различной величиной сродства к электрону на структуру и параметры глубоких центров свечения в них: положение максимумов, полуширину и интенсивность наблюдаемых полос люминесценции. Проведено сопоставление полученных результатов с существующими теориями. Установлено, что нелинейность изменения ширины запрещенной зоны СdSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x=0\div1}$) от состава хорошо описывается с помощью эмпирической модели псевдопотенциалов. Подтверждены кластерное строение твердых растворов на основе соединений A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$, а также необходимость учета ближайшего окружения дефектов решетки для расчетов параметров образуемых ими глубоких локальных центров в широкозонных полупроводниках, т. е. применения так называемой «кластерной модели». Обнаружено преобразование изолированных дефектов акцепторного типа в комплексные центры, включающие эти акцепторы и собственные доноры при содержании теллурида кадмия более 50 мол%.