Кинетика фотоответа туннельных МДП структур

Экспериментально и теоретически исследована кинетика фотоответа в кремниевых структурах металл–диэлектрик–полупроводник с поликремниевым затвором и толщиной двуокиси кремния ${30\div40}$ Å. Показано, что в зависимости от начального поверхностного изгиба зон кинетика фотоответа имеет различный характер.
При этом, если скорость туннельного оттока носителей заряда через диэлектрик превышает скорость их рекомбинации, то в структурах с обедняющим начальным изгибом зон факторы, определяющие время фотоответа, такие же, как в $p{-}n$-переходах. В структурах, где величина начального изгиба зон соответствует слабому обогащению, время фотоответа определяется временем накопления неосновных носителей в приповерхностной потенциальной яме и падает с ростом интенсивности освещения.