RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1055–1059 (Mi phts245)

Образование и термическая стабильность радиационных дефектов в $p$-кремнии, облученном альфа-частицами

В. И. Губская, П. В. Кучинский, В. М. Ломако

Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

Аннотация: Установлены энергетический спектр дефектов, их рекомбинационные свойства, эффективность образования и термическая стабильность в $p$-кремнии при облучении альфа-частицами с ${E=4.7}$ МэВ. Показано, что комплексу углерод-кислород в $p$-кремнии соответствует энергетический уровень ${E_{v}+0.35}$ эВ. Инжекционно отжигающийся дефект с энергетическим уровнем в верхней половине запрещенной зоны, термически отжигающийся при ${T=70^{\circ}}$С, может представлять собой комплекс углерод–бор. Установлено, что практически полное восстановление времени жизни неосновных носителей заряда наблюдается при $540^{\circ}$С и определяется отжигом центров с уровнем ${E_{v}+0.55}$ эВ.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 15.10.1984
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2024