RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 8, страницы 1482–1485 (Mi phts2450)

Ганновские домены в теллуре собственной проводимости

В. Балинас, А. Кроткус


Аннотация: Проведены измерения ВАХ и распределения потенциала по длине образца с собственной проводимостью из теллура при комнатной температуре. Определены параметры доменов сильного поля, возникающих в образцах в полях, где существует ОДП. Проведенные оценки показали, что отношение пик–долина для дрейфовой скорости электронов в теллуре больше 4.



© МИАН, 2024