Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием

Методом Фарадея исследовалась магнитная восприимчивость кристаллов кремния, легированных гадолинием из расплава. Образцы вырезались из разных участков одного слитка и различались по содержанию гадолиния. У всех исследованных образцов Si, содержащих атомы гадолиния, наблюдалась зависимость $\chi$ от $H$.
Показано, что повышение концентрации гадолиния приводит к увеличению полевой зависимости $\chi$ от $H$. Сделано предположение, что ответственными за полевую зависимость магнитной восприимчивости в исследованных кристаллах являются нарушенные области, которые образуются вокруг скоплений атомов гадолиния.