Неравновесные флуктуации температуры и концентрации носителей в бесщелевых полупроводниках

Построена теория неравновесных флуктуаций температуры и концентрации носителей в бесщелевом полупроводнике в условиях, когда обе эти величины контролируются столкновениями электронов и дырок. Показано, что имеются две характерные частоты, большая из которых описывает процесс релаксации суммы приведенных уровней Ферми электронов и дырок, а меньшая — релаксацию энергии электронов. Полная релаксация малых возмущений концентрации и температуры определяется меньшей частотой. Вклад флуктуаций температуры и концентрации носителей в шумы электрического тока уменьшается с уменьшением отношения концентраций дырок и электронов.