Влияние высокочастотного эффекта поля на фотоэлектромагнитный эффект

Описан эффект возникновения постоянной ЭДС в полупроводнике при действии на него постоянного магнитного поля и поперечного к нему внешнего высокочастотного электрического поля. В образцах высокоомного кремния исследованы зависимости этой ЭДС от магнитного и электрического полей и от проводимости образцов, изменяемой освещением. Эффект объяснен возникновением неравновесных средних концентраций электронов и дырок у поверхности и изменением скорости поверхностной рекомбинации под действием ВЧ электрического поля, что изменяет диффузионные потоки носителей заряда внутри полупроводника и вызывает в магнитном поле появление дополнительной ЭДС фотоэлектромагнитного эффекта.