Обратный ток $p{-}n$-переходов в неоднородных полупроводниковых твердых растворах

Теоретически рассмотрена задача о вольтамперной характеристике обратно смещенного $p{-}n$-перехода в твердом растворе со случайными флуктуациями ширины запрещенной зоны. Рассмотрены случаи генерационных-рекомбинационных и туннельных токов. Показано, что флуктуации рассматриваемого вида всегда приводят к появлению избыточных токов. Обсуждается также вопрос о квантовом выходе фотодиода при наличии флуктуаций состава твердого раствора.