RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 9, страницы 1583–1587 (Mi phts2482)

Спектры мелких доноров в германии и кремнии

Ш. М. Коган, Р. Таскинбоев

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: Невариационным методом прямого численного решения системы обыкновенных дифференциальных уравнений для радиальных функций путем переноса условия ограниченности из особых точек найдены энергии и волновые функции основного и нескольких возбужденных состояний мелких доноров в Ge и Si в приближении эффективной массы. С помощью найденных волновых функций вычислены силы осцилляторов (интенсивности) линий в спектре оптического поглощения этих примесей. Развит метод вычисления волновых функции примесных центров вне центральной ячейки (в пределе малого радиуса центрально-ячеечного потенциала) с учетом конкретного (взятого из эксперимента) значения глубины основного уровня и найдены интенсивности наиболее ярких линий в спектрах P, As и Sb в Ge и Si. С увеличением глубины основного уровня (из-за центрально-ячеечной поправки) интенсивности линий быстро уменьшаются. Результаты можно использовать при определении абсолютной величины концентрации нейтральной примеси по спектру поглощения и при определении отношения концентраций разных примесей одного типа по отношению высот линий этих примесей.



© МИАН, 2024