Спектральная зависимость фототока в варизонных полупроводниках

Предложен метод расчета спектральной зависимости фототока в варизонных полупроводниках. A$^{\text{III}}$B$^{V}$ в случае малых диффузионных длин, когда необходим учет точной формы функции генерации. В основу расчета положены аналитические выражения оптической плотности полупроводника с линейным изменением ширины запрещенной зоны, локальный коэффициент поглощения аппроксимировался типичной для соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ спектральной зависимостью — экспоненциальный рост с переходом в линейную зависимость. Получены аналитические выражения для функции генерации и рассчитаны спектры фототока при освещении образца как с узкозонной, так и с широкозонной стороны. Экспериментальная проверка проводилась на эпитаксиальных структурах GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках и имеющих градиенты ширины запрещенной зоны от 60 до 250 эВ/см. Измеренные спектры удовлетворительно описываются полученными формулами. Представленные в работе выражения дают возможность определять параметры варизонных полупроводников из экспериментальных спектров фототока.