Исследование взаимосвязи концентрации электронов с растворимостью селена в антимониде индия

Проведено исследование соотношения между количеством введенной добавки и числом электронов при легировании антимонида индия селеном.
Путем сопоставления данных по холловской концентрации носителей заряда, полученных в образцах, прошедших длительную гомогенизацию при определенных температурах, показано, что заметные отклонения зависимости ${n_{e}\sim f(N_{\text{Se}})}$ от линейного закона связаны с образованием смешанных твердых растворов Se в InSb типа внедрения и замещения. При этом селен, попадающий в междоузлия, полимеризуется и оказывается в электрически неактивном состоянии. Анализ концентрационной зависимости параметра решетки, измеренного на полученных образцах, позволил высказать предположение относительно природы изменений электроактивности селена на различных участках исследованного интервала концентраций.