RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 9, страницы 1601–1603 (Mi phts2486)

Природа дефектов и особенности их образования при облучении нейтронно-легированного кремния

П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница


Аннотация: Изучены особенности образования радиационных дефектов (РД) и их природа в нейтронно-легированном кремнии (${\rho_{0}=250\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$, ${\tau_{0}=120}$ мкс), облученном (${T\leqslant50^{\circ}}$С) гамма-квантами $^{60}$Co. В качестве контрольных использовались зонные кристаллы кремния с близкими значениями $\rho_{0}$ и $\tau_{0}$, подвергнутые термообработке в течение 2 ч при ${T= 800^{\circ}}$С. Измерялись температурное и дозовые зависимости коэффициента Холла и $\tau$. Установлено, что в НЛК скорость образования $E$-центров примерно на порядок меньше, а междоузельных РД с уровнем $E_{c}{-}0.17$ эВ почти в 2 раза больше, чем в контрольных образцах. Различается также характер отжига компенсирующих и рассеивающих РД. В частности, в НЛК имеет место уменьшение температуры отжига некоторых РД. Полученные результаты объясняются в предположении наличия в НЛК сформированных при высокотемпературной обработке электрически нейтральных примесно-дефектных скоплений, представляющих собой стоки для генерируемых гамма-квантами вакансий.



© МИАН, 2024