Аннотация:
Изучены особенности образования радиационных дефектов
(РД) и их природа в нейтронно-легированном кремнии
(${\rho_{0}=250\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$, ${\tau_{0}=120}$ мкс),
облученном (${T\leqslant50^{\circ}}$С) гамма-квантами
$^{60}$Co. В качестве контрольных использовались зонные кристаллы кремния
с близкими значениями $\rho_{0}$ и $\tau_{0}$, подвергнутые термообработке
в течение 2 ч при ${T= 800^{\circ}}$С. Измерялись температурное и дозовые
зависимости коэффициента Холла и $\tau$. Установлено, что в НЛК скорость
образования $E$-центров примерно на порядок меньше, а междоузельных РД
с уровнем $E_{c}{-}0.17$ эВ почти в 2 раза больше, чем в контрольных образцах.
Различается также характер отжига компенсирующих и рассеивающих РД.
В частности, в НЛК имеет место уменьшение температуры отжига некоторых РД.
Полученные результаты объясняются в предположении наличия в НЛК сформированных
при высокотемпературной обработке электрически нейтральных примесно-дефектных
скоплений, представляющих собой стоки
для генерируемых гамма-квантами вакансий.