Фотоэлектрические явления в PbTe, легированном индием

Исследованы гальваномагнитные и осцилляционные эффекты в монокристаллическом РbТе$\langle\text{In}\rangle$ со стабилизированным уровнем Ферми при освещении образцов, охлажденных до ${T=4.2}$ K, тепловым источником излучения. Установлено, что при температуре источника ${T^{*} > 50}$ K происходит рост концентрации электронов в зоне проводимости (${\Delta n\gtrsim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$), который может сопровождаться увеличением сопротивления сплава. Показано, что кинетика медленного нарастания сигнала фотопроводимости (ФП) отражает процесс установления в кристалле равномерного по объему фотовозбуждения. При этом времена жизни $\tau$ неравновесных электронов при ${T=4.2}$ K достигают ${\sim10^{5}}$ с. К быстрому гашению остаточной проводимости приводит нагрев образца до ${\sim20}$ K.