Аннотация:
Рассмотрены условия достижения максимальной эффективности
преобразования энергии постоянного электрического поля в излучение
субмиллиметрового и дальнего ИК диапазонов в $p$-Ge, когда механизмами
генерации являются инверсия прямых оптических переходов дырок между легкой
и тяжелой подзонами и НЕМАГ на циклотронном резонансе дырок в тяжелой
подзоне. Анализ проведен в рамках кинетического подхода, основанного
на моделировании методом Монте-Карло нелинейного отклика дырок на резонансное
излучение, находящееся в объеме кристалла. Показано, что в режиме одномодовой
генерации при выполнении оптимальных условий связи между активной областью
и внешним пространством коэффициент преобразования в кристаллах
$p$-Ge с концентрацией дырок
${p=(0.5\div5)\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$
при температуре решетки ${T_{0}\lesssim10}$ K достигает ${\simeq0.5}$%.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 04.09.1985 Принята в печать: 20.12.1985