Анизотропное перераспределение вырожденных электронов между долинами в тонких пластинах

Исследован новый механизм нелинейности ВАХ полупроводниковых или полуметаллических пластин с вырожденными носителями заряда и с толщиной, близкой по величине характерной междолинной длине. Нелинейность обусловлена экспоненциально сильной зависимостью интенсивности междолинных переходов от разности химпотенциалов в долинах при рассеянии на фононе с энергией ${\hbar\omega_{0}\gg T}$ и имеет место уже в относительно слабых электрических полях, т. е. когда отсутствует разогрев носителей и перераспределение их между долинами мало́. В работе исследована простая модельная двухдолинная ситуация, в качестве реального примера рассмотрен Bi.